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硅片回收之硅片清洗技術的發展
 自1970年美國RCA實驗室提出的浸泡式RCA化學清洗工藝得到了廣泛應用，1978年RCA實驗室又推出兆聲清洗工藝，近幾年來以RCA清洗理論為基礎的各神清洗技術不斷被開發出來，例如：
(1)美國FSI公司推出離心噴淋式化學清洗技術。
(2)美國原CFM公司推出的Full-Flow systems封閉式溢流型清洗技術。
(3)美國VERTEQ公司推出的介于浸泡與封閉式之問的化學清洗技術（例Goldfinger Mach2清洗系統）。
(4)美國SSEC公司的雙面檫洗技術（例M3304 DSS清洗系統）。
(5)日本提出無藥液的電介離子水清洗技術（用電介超純離子水清洗）使拋光片表面潔凈技術達到了新的水平。
(6)以HF／03為基礎的硅片化學清洗技術。
    目前常用H202作強氧化劑，選用HCL作為H+的來源用于清除金屬離子。
    SC-1是H202和NH40H的堿性溶液，通過H202的強氧化和NH40H的溶解作用，使有機物沾污變成水溶性化合物，隨去離子水的沖洗而被排除。
    由于溶液具有強氧化性和絡合性，能氧化Cr、Cu、Zn、Ag. Ni、Co、Ca、Fe、Mg等使其變成高價離子，然后進一步與堿作用，生成可溶性絡合物而隨去離子水的沖洗而被去除。
    為此用SC-1液清洗拋光片既能去除有機沾污，亦能去除某些金屬沾污。
    SC-2是H202和HCL的酸性溶液，它具有極強的氧化性和絡合性．能與氧以前的金屬作用生成鹽隨去離子水沖洗而被去除。被氧化的金屬離子與CL-作用生成的可溶性絡合物亦隨去離子水沖洗而被去除。
引用：在使用SC-1液時結合使用兆聲波來清洗可獲得更好的效果。

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